图像仅供参考,请参阅规格书
FET类型:N 沟道
电压-击穿(V(BR)GSS):25V
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss):4mA @ 15V
漏极电流(Id)-最大值:30mA
不同Id时的电压-截止(VGS关):500mV @ 10nA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):5pF @ 15V
功率-最大值:350mW
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23
无铅情况/RoHs:否