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CMPF5485 TR /CMPF5485 Series 25 V 30 mA Surface Mount N-Channel Silicon JFET - SOT-23-3
CMPF5485 TR的规格信息
CMPF5485 TR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

FET类型:N 沟道

电压-击穿(V(BR)GSS):25V

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss):4mA @ 15V

漏极电流(Id)-最大值:30mA

不同Id时的电压-截止(VGS关):500mV @ 10nA

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):5pF @ 15V

功率-最大值:350mW

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-23

无铅情况/RoHs:

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